这会儿已经没有人跟这位青年骨干计较什么涉及到封建迷信的“神仙”字眼，只当作是沉浸于技术当中的痴狂。
“这……这根本不是常规推演！这是跳出固有思维的绝杀方案！我们做梦都想不到，还能用水来做光学介质！”
在此之前，国内科研团队的惯性思维，永远是“缩短波长换精度”，所有人都在盲目攻坚深紫外和极紫外光源，屡屡碰壁、毫无进展。
没人知道，未来二十年，全球光刻的主流超车路径，根本不是硬堆光源，而是介质革新。
不止是光刻整机与光源，这份蓝图连晶圆迭代、芯片工艺、核心材料的全链路路线，全部精准匹配时代节奏。
有人低声念出晶圆升级路线：“1.5英寸量产→2英寸实验转量产→3英寸商用线→4英寸高端VL线……完全贴合国内外产能代差！”
还有曾经参与过攻坚M集成电路的微系统所核心微电子专家徐圆深盯着材料革新节点，喃喃自语道：“铝互连换代铜互连、普通硅换代应变硅、栅极工艺迭代高K金属栅极……每一次工艺迭代对应的集成度、功耗、算力突破，全部提前给出答案！”
以往，国内研发是试错式攻坚，十年摸索、五年走偏、三年复盘。
现在，这份蓝图是开卷式答题，二十年技术路径、时间节点、攻坚重点、避坑要点，一览无余。
“有这份路线图，我们至少少走十年弯路！妈的，外国是真特娘的先进，竟然藏了这么厉害的好东西，这一回，咱们也有了！”
今年正好参与国产微型电路项目，华东计算所青年微机工程师陈仁甫眼眶通红，声音压抑着滚烫的狂热，“有了这份蓝图，我们可以看着路标直奔终点，完全可以跳过无数无效迭代，直接对标日美主流制程，实现超车！”
如果说宏观路线图是指引方向的战略导航，那么随后呈上的两份绝密核心技术论文，就是颠覆国内器件研发格局的战术级杀器。
会议室的气氛从震撼，彻底变成了无比亢奋。
墙上的巨大蓝图再一次翻新，变成了《BT器件结构与全套制造工艺》，更是让电力、电子与功率半导体领域的专家，深耕功率半导体的周世昌瞬间起立，他双手撑住桌面，死死盯着图纸上的复合结构，当场读出了声。
“MFT的高速开关、高阻抗驱动，叠加BJT的大电流、低压降导通优势，单一器件融合两种主流功率管的所有优点，规避所有短板，这个真的可以做到吗？还是概念型设计？”
他心里难免生出疑惑，国内功率半导体还停留在普通晶闸管、单一M、单一BJT的分立应用阶段，无人想到可以将两种器件结构融合重构，打造出一款全能型功率器件。
这是一个前所未有的全新设计方案，打破了以往的固有思维。
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更让人惊疑不定的是，这份资料不止给了理论结构，连量产工艺、缺陷规避、良率优化的细节全部补齐。
“V型槽精准刻蚀工艺、台面钝化方案！”周世昌的指尖遥遥划过墙上巨大蓝图中密密麻麻的工艺参数，激动声音发颤，“连致命的擎住效应抑制方案都给出了，电子辐照寿命控制、高温退火修复栅氧损伤、开关速度与耐压平衡参数……
全部精确到工艺步骤，这哪里是技术猜想？这是成熟的、经过无数次量产验证的全套标准答案！”
