外行看热闹，内行看门道。
乐曲喧闹的掩护之下，不少技术人员依旧在小声复盘方才方院长公布的DragOn3芯片。
IBM副总裁小声说道： “之前的DragOn2A还是金属圆形外壳，引脚全部在底部，想要焊上电路板，板子上还得专门打孔才能固定。
可刚刚展示的DragOn3，是扁平陶瓷外壳，引脚直接从芯片两侧伸出来，直接贴装就能固定在电路板上。”
“陶瓷扁平封装，我们德州仪器1962年就搞出来了，一直只用在航空、导弹这类军用项目上面。
这是工艺难度太大了，良品率也上不去，根本不敢想象拿来做商用大批量供货。
南华不但攻克这套工艺，居然直接把它做到消费、工业商用级别。”
舞台上歌声、吉他声还在回荡。
第五排的苏联代表团凑成一小团，交头接耳。
“陶瓷底座封装，一百八十颗晶体管挤在这么小的硅片之上，这到底是怎么实现光刻与蚀刻的？”
“还有方才提到的DragOn3 ，性能还要提升百分之三十，那晶体管数量就要突破两百颗，简直无法想象。”
他们尚且无从知晓，南华军工体系内部，还有更进一步的特种存储芯片，单颗上面集成足足四百八十颗晶体管。
也就是相当于1969年Intel 3101静态RAM的技术水准，64个双极型静态存储单元。
六十年代初，双极型静态存储单元的理论就已经问世。
它是依靠两组晶体管互相锁死形成触发器，通电就能记住0或者1的信号。
历史上，IBM在1965年就生产了16位硅存储芯片，距离64位只差一步。
一直1969年，英特尔才会把这项技术正式推向商用市场。
